MOSFET裸片是指没有封装的MOSFET芯片，可以直接在印刷电路板(PCB)上进行焊接。相较于标准MOSFET封装，裸片具有更好的散热性以及更小的体积，越来越多的电子行业开始采用裸片，特别是在高集成度、小型化、高密度安装的应用中。
裸片一般可以分为Si裸片和SiC裸片两种。
从设计到生产的全过程包括：芯片设计、掩膜制作、掩膜光刻、衬底清洗、衬底抛光、外延生长、离子注入、退火、衬底分离等多个步骤。
就芯片设计而言，需要进行器件仿真、工艺仿真、电性能分析等多方面的工作，充分掌握了设计流程后，就可以进行掩膜制作。利用影像光刻技术制作掩膜，将需要得到的推敲、印刷到图纸上。接着进行掩膜光刻，先使用酸洗移除掩膜上对应元件的光刻胶。然后在半导体表面再进行掩膜光刻，控制光刻时间和强度，使之在光敏的光刻剂上形成微细的通道。接着对芯片进行衬底清洗以及衬底抛光，使衬底变得平整光滑，并准备好各种材料。
在进行外延生长时，需要一个种子晶片，晶片表面有所谓的晶核，晶核是一个原子级别的缺陷，在每个寿命周期里不断地增长。外延液料含有制备MOSFET所需的材料。在特定条件下，液体材料会通过化学反应在种子涂层表面沉积，从而以MOSFET的形式生长。
离子注入是制造MOSFET必要的步骤之一，可以在芯片的电阻层中形成所需的区域、接触等等。退火是让表面和内部结构松弛性，消除因制造工艺引起的缺陷，同时回复其晶界，提高MOSFET的电性能。衬底分离是将芯片从衬底分离出来，使之成为独立的芯片。
MOSFET裸片的制造过程非常繁琐，需要高超的专业技术和严谨的工艺要求。